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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STW18NM60ND正是您的理想之选。这颗采用FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和13A的强大电流吞吐能力，让您轻松应对工业电源、电机驱动等高压应用场景的严苛挑战。

它的核心价值在于卓越的效率。低至290毫欧的导通电阻显著降低了导通损耗，而优化的栅极电荷则实现了快速的开关切换，双管齐下，共同助力您的系统整体能效提升。经典的TO-247封装确保了出色的散热性能，配合高达110W的耗散功率，让芯片即使在高温环境下也能稳定工作，保障您设备的长期可靠运行。

• 型号:STW18NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW18NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。