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您正在为电源转换效率而烦恼吗？STI8N65M5 N沟道MOSFET就是您提升系统性能的得力助手。它基于意法半导体先进的MDmesh V技术，拥有650V的高耐压和7A的强电流处理能力，让您在设计AC-DC电源、电机驱动或PFC电路时，能够轻松实现更低的能量损耗和更高的开关频率。

这颗芯片能为您做什么？它通过仅600毫欧的低导通电阻和优化的栅极电荷，大幅降低了导通与开关过程中的功率损耗，从而提升整体能效，让您的设备运行更凉爽、更持久。其坚固的I2PAK封装确保了出色的散热性能，即使在高负荷下也能稳定工作，助您构建高效、可靠的功率系统解决方案。

• 型号:STI8N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI8N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。