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还在为高压小电流电路中的MOSFET选型烦恼吗？STS1DNC45就是为您量身定制的解决方案。这颗来自ST意法半导体的双N沟道MOSFET，集成了两个450V耐压的通道，让您能在单颗芯片上实现高效的功率切换与控制，轻松简化电路布局，节省空间。

它采用先进的SuperMESH技术，为您带来低至4.5欧姆的导通电阻和极低的栅极电荷，这意味着更低的传导损耗和开关损耗，显著提升您的电源转换效率。无论是驱动LED，还是构建紧凑的辅助电源，它都能让您的设计更高效、更可靠。其坚固的8-SOIC封装和宽工作温度范围，确保它在各种应用环境中稳定运行，是您打造高性能、高性价比产品的理想选择。

• 型号:STS1DNC45
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:450V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.6W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS1DNC45，ST（意法半导体）产品一站式供应商。