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还在寻找一颗能轻松驾驭大电流、同时保持超高效率的功率开关吗？STP200N3LL正是您期待的答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和惊人的120A连续电流处理能力，而其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动下仅2.4毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案能效大幅提升，运行起来更凉爽、更安静。

它不仅仅参数亮眼，更注重实际应用的便捷与可靠。优化的栅极特性让驱动设计变得简单，加速开关过程以减少损耗；经典的TO-220封装提供了出色的散热路径和坚固的机械性能。无论是面对工业环境的严酷考验，还是追求消费电子的紧凑设计，它都能让您游刃有余，是实现高效、紧凑、可靠功率转换的理想基石。

• 型号:STP200N3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:176.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP200N3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。