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您正在设计一款需要处理高压、驾驭大电流的电源或电机驱动产品吗？STW18NK80Z正是为您应对这类挑战而生的强力引擎。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和19A的强大电流吞吐能力，让您的系统在面对工业级电压波动和负载冲击时，依然稳如磐石。

它的核心魅力在于极致的高效。仅380毫欧的低导通电阻，能显著减少功率损耗，将更多能量用于驱动负载，而非白白发热，从而帮助您轻松提升整机效率并简化散热设计。同时，其优化的开关特性让驱动控制更为顺畅，助力实现更紧凑、更可靠的电源解决方案。选择它，就是为您的产品注入一份来自意法半导体的高性能保障。

• 型号:STW18NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 19A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:250 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW18NK80Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。