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还在为功率转换系统的效率与可靠性烦恼吗？STFU26N60M2正是为您排忧解难的利器。这颗基于意法半导体先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和20A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的导通损耗与出色的开关性能。它能轻松应对高频开关动作，显著减少能量损失，让您的电源、电机驱动或照明系统运行得更凉爽、更高效。

更值得一提的是，其优化的动态参数（如低栅极电荷）让驱动设计变得简单，帮助您轻松提升系统整体能效和功率密度。无论是提升现有产品性能，还是开发下一代高效能设备，STFU26N60M2都能为您提供坚实可靠的半导体基石，助您快速将创意转化为具有市场竞争力的产品。

• 型号:STFU26N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU26N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。