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还在为高压小功率开关电路寻找一颗可靠、高效的“心脏”吗？STF2NK60Z正是为您而来！这颗采用意法半导体先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有600V的高耐压和1.4A的电流处理能力，能轻松胜任LED驱动、开关电源等应用中的核心开关任务。

它的卓越之处在于，极低的导通电阻（仅8欧姆）和优化的动态参数（如低栅极电荷），让您能够大幅降低功率损耗，提升整体能效。同时，其坚固的TO-220FP封装和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），确保了在各种环境下都能稳定运行，让您的设计更高效、更可靠。

• 型号:STF2NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 700mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:170 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF2NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。