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还在为高压大电流应用的效率瓶颈和散热难题寻找解决方案吗？STB42N60M2-EP正是为您而来的高性能N沟道MOSFET。它基于意法半导体先进的MDmesh M2-EP技术，拥有600V的耐压和高达34A的连续电流承载能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅87mΩ），能显著降低导通损耗，让您的电源模块、电机驱动或光伏逆变器运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高频开关应用。优化的栅极电荷和电容特性确保了快速、干净的开关瞬态，这不仅提升了整体能效，还简化了驱动电路设计，让系统响应更迅捷。同时，其坚固的D2PAK封装和150°C的高结温工作能力，为您提供了卓越的功率处理能力和长期可靠性保障，即使是在严苛的工业环境中也能稳定运行。

• 型号:STB42N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB42N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。