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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热难题头疼吗？让STU4N80K5为您带来焕然一新的解决方案！这颗基于SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，是ST意法半导体为您精心打造的高效能量开关。

它拥有800V的强悍耐压和3A的电流处理能力，能轻松应对开关电源、LED驱动及电机控制中的高压环境。其核心价值在于极低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低开关损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更高效，直接提升产品能效与可靠性。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而可靠的“心脏”。

• 型号:STU4N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU4N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。