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还在寻找能简化设计、提升效率的双P沟道MOSFET解决方案吗？STS4DPF20L正是为您准备的答案。这颗芯片在一个小巧的8-SOIC封装内，集成了两个20V/4A的P沟道MOSFET，让您轻松实现紧凑空间下的高效电源切换与负载控制。

凭借STripFET技术的加持，它拥有低至80毫欧的导通电阻和仅2.5V的最大栅极阈值电压，让您能够直接使用微控制器进行驱动，大幅简化外围电路。无论是用于电池供电设备的电源路径管理，还是需要快速响应的负载开关，它都能确保高效、可靠的运行，助您打造出性能更优、体积更小的终端产品。

• 型号:STS4DPF20L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.6W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS4DPF20L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。