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您正在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的功率开关吗？STP36NF06正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和高达30A的连续电流处理能力，其核心魅力在于采用了ST意法半导体的STripFET II技术，实现了超低的导通电阻（典型值仅40毫欧@15A,10V），能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅参数亮眼，更注重实际应用体验。较低的栅极电荷和输入电容让驱动设计变得轻松，有效提升开关速度，优化整体能效。无论是面对工业控制的严苛要求，还是消费电子的空间限制，其经典的TO-220AB封装都提供了可靠的散热和坚固的机械支撑。选择STP36NF06，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏，轻松应对功率管理的核心挑战。

• 型号:STP36NF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP36NF06，ST（意法半导体）产品一站式供应商。