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还在为功率转换系统的效率与散热问题烦恼吗？让STP35N65M5为您带来变革性的体验。这颗650V/27A的N沟道MOSFET，采用ST先进的MDmesh V技术，能显著降低导通损耗，让您的电源、电机驱动或照明系统运行得更凉爽、更高效。

它拥有优异的开关特性，帮助您轻松优化电路性能，提升整体能效。其坚固的TO-220AB封装确保了出色的功率处理能力和散热表现，让您的设计在高达150°C的结温下依然稳定可靠。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:STP35N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 27A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:98 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP35N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。