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还在为复杂的电源管理电路寻找一颗高效、小巧的“开关”吗？让意法半导体的STT4PF20V来为您分忧！这颗采用先进STripFET II技术的P沟道MOSFET，专为高效能、高密度应用而生。

它能在仅2.7V的低驱动电压下高效开启，轻松管理高达3A的负载电流，同时其极低的导通电阻（仅110毫欧）能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。紧凑的SOT-23-6封装让它能轻松嵌入空间受限的便携式设备、智能穿戴或高密度主板中，是您实现精简、高效电源路径控制和负载开关的理想选择。

• 型号:STT4PF20V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 1.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:600mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:500 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
• STT4PF20V，ST（意法半导体）产品一站式供应商。