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还在寻找那颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静高效的“核心开关”吗？STW34N65M5 N沟道MOSFET就是您的理想答案。它基于意法半导体先进的MDmesh V技术，拥有650V的坚固耐压和28A的连续电流能力，让您在设计大功率电源时底气十足。

这颗芯片能为您做什么？它凭借仅110毫欧的超低导通电阻，大幅降低导通损耗，直接提升系统整体效率。同时，优化的栅极电荷和电容特性，让开关速度更快、驱动更轻松，有效减少开关损耗。这意味着您的设备不仅能更高效地运行，节省能源，还能显著降低温升，让散热设计变得更简单，系统可靠性获得质的飞跃。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是光伏逆变器，STW34N65M5都能以卓越的稳定性和强大的功率处理能力，确保您的产品在激烈竞争中脱颖而出。选择它，就是选择了一条通往高性能、高可靠性的技术捷径。

• 型号:STW34N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW34N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。