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还在寻找一颗能兼顾高压、高效与高可靠性的开关管吗？STU3LN62K3正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有620V的漏源击穿电压和仅3欧姆的低导通电阻，能显著降低您在开关电源、电机驱动或LED照明应用中的导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

它采用成熟的SuperMESH3技术，提供快速开关特性和优异的抗冲击能力。高达2.5A的连续电流和150°C的结温，让您轻松应对各种严苛工况。通孔IPAK封装坚固可靠，简化您的PCB设计和散热管理。选择STU3LN62K3，就是为您的核心电路选择了一位高效、稳健的“执行者”。

• 型号:STU3LN62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:386 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU3LN62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。