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还在寻找一颗能同时搞定高效开关与紧凑布局的“全能型”功率芯片吗？STL40C30H3LL正是为您而来的答案。这颗来自ST意法半导体的双MOSFET阵列芯片，集N沟道与P沟道于一身，凭借低至21毫欧的导通电阻和高达40A的电流处理能力，能显著降低您的电源路径损耗，提升整体能效。

它能让您轻松驾驭同步整流、电机驱动或负载开关等应用。其逻辑电平门设计让您可以直接连接微控制器，简化电路；而小巧的PowerFLAT封装则为您节省宝贵的板级空间。无论是提升产品功率密度，还是优化散热设计，STL40C30H3LL都是助您打造高性能、高可靠性终端的得力伙伴。

• 型号:STL40C30H3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 40A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A，30A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475pF @ 24V
• 功率 - 最大值:60W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL40C30H3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。