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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关快的N沟道MOSFET吗？STSJ60NH3LL正是为您的高效功率设计而生。它基于意法半导体先进的STripFET技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至惊人的5.7毫欧，轻松应对高达60A的连续电流，显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率大幅提升。

这颗芯片拥有30V的漏源电压和极低的栅极电荷，这意味着它既能保证足够的电压余量，又能实现快速开关，有效减少开关损耗。其紧凑的8-SOIC-EP封装集成了散热片，帮助您高效管理热量，确保系统在-55°C到150°C的宽广结温范围内稳定运行。选择它，就是为您的产品注入了强劲、可靠且高效的动力核心。

• 型号:STSJ60NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC-EP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC-EP
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STSJ60NH3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。