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还在寻找一颗能在500MHz频段提供强劲且稳定放大能力的核心器件吗？PD55003L-E正是为您而来的解决方案。这颗采用先进LDMOS技术的射频晶体管，能为您轻松提供高达19dB的信号增益和3W的纯净输出功率，让您的无线设备通信距离更远、信号质量更清晰。

它集高效能与高可靠性于一身。在紧凑的8-PowerVDFN封装内，其40V的高额定电压和2.5A的电流能力，确保了在复杂工作环境下的持久稳定运行。无论是用于专业对讲系统、射频识别还是小型基站，PD55003L-E都能让您的设计事半功倍，高效实现性能目标，是您打造竞争力产品的理想选择。

• 型号:PD55003L-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFLAT（5x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:19dB
• 电压 - 测试:12.5 V
• 额定电流（安培）:2.5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:50 mA
• 功率 - 输出:3W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
• PD55003L-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。