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您正在寻找一颗能同时驾驭高压与大电流，且效率出众的功率开关吗？STO47N60M6正是您的理想之选。这颗采用意法半导体先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和36A的连续漏极电流，让您在设计工业电源、电机驱动或新能源逆变器时底气十足。

它的核心魅力在于极致的效率。80毫欧的超低导通电阻能大幅减少导通损耗，而优化的栅极电荷则确保了快速、干净的开关特性，从而显著降低开关损耗。这意味着您的系统不仅能处理更大的功率，还能运行得更凉爽、更节能。其坚固的TOLL封装提供了出色的热性能，确保在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，让您的产品可靠性迈上新台阶。

• 型号:STO47N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TOLL（HV）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 36A TOLL
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:255W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TOLL（HV）
• 封装/外壳:8-PowerSFN
• STO47N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。