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还在为如何有效保护昂贵且核心的MOSFET免受电压浪涌损伤而头疼吗？STRVS118X02CTVS二极管就是您的高效解决方案。它能瞬间响应并箝制高达118V的威胁性电压，轻松化解2A峰值脉冲电流的冲击，让您的MOSFET和整个电源系统在恶劣电气环境中稳如泰山。

这颗芯片专为MOSFET保护设计，其85V的反向工作电压与精准的齐纳特性，确保在正常工作时近乎零影响，而在危机时刻迅速挺身而出。采用SMC封装，便于您进行高密度板级设计，其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）更能让您无惧环境挑战，轻松实现从工业控制到能源基础设施等各种应用的可靠保护。

• 型号:STRVS118X02C
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SMC
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
• 描述:TVS DIODE 85VWM 118VC SMC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 类型:齐纳
• 单向通道:1
• 双向通道:-
• 电压 - 反向断态（典型值）:85V
• 电压 - 击穿（最小值）:95V
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:118V
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):2A（8/20s）
• 功率 - 峰值脉冲:-
• 电源线路保护:无
• 应用:MOSFET 保护
• 不同频率时电容:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:DO-214AB，SMC
• 供应商器件封装:SMC
• STRVS118X02C，ST（意法半导体）产品一站式供应商。