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您正在设计需要处理高压电力的设备吗？STH13N120K5-2AG就是您理想的功率开关伙伴。这颗由ST意法半导体打造的N沟道MOSFET，拥有1200V的强悍耐压和12A的持续电流能力，能轻松胜任工业驱动、太阳能逆变等高要求场景，让您的系统在面对高压时依然从容不迫。

它的核心价值在于高效与可靠。极低的导通电阻意味着更少的能量以热量形式浪费，直接提升整机效率；而优化的动态参数让开关更迅捷，有助于您设计出更紧凑、响应更快的电源方案。其坚固的H2PAK-2封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种严苛环境下长久稳定运行，大幅提升您最终产品的市场竞争力。

• 型号:STH13N120K5-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH13N120K5-2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。