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还在为寻找一颗既能承受高压大电流，又能保持极高开关效率的P沟道MOSFET而烦恼吗？STD10P6F6正是您的理想答案。它基于ST先进的DeepGATE技术打造，拥有60V/10A的强劲规格，能轻松胜任电机控制、电源开关等核心任务。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效表现。极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的系统运行更凉爽、更持久。同时，优化的栅极电荷和电容特性，让您能够设计出更简洁、响应更快的驱动电路，从而全面提升系统性能与可靠性。

• 型号:STD10P6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P CH 60V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD10P6F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。