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还在为提升系统效率而绞尽脑汁吗？SCT20N120AG就是您苦苦寻觅的答案。这颗采用尖端碳化硅（SiC）技术的N沟道功率FET，集1200V高压耐受、20A大电流承载能力于一身，旨在让您轻松攻克高频、高效、高可靠性的设计难题。

它能让您的电源模块在更高的开关频率下稳定运行，从而大幅缩减电感、变压器等被动元件的体积和成本，实现系统整体的小型化与轻量化。其极低的导通损耗和开关损耗，直接转化为更低的温升和更高的整机效率，无论是新能源汽车电驱、光伏逆变，还是工业电源，都能让您的产品性能脱颖而出。选择SCT20N120AG，就是选择了一条通往更高功率密度和更强市场竞争力的捷径。

• 型号:SCT20N120AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:239毫欧 @ 10A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:153W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
• SCT20N120AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。