我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STPSC4H065DLF现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为效率提升遇到天花板而困扰吗？让STPSC4H065DLF碳化硅肖特基二极管为您开启新的可能。这颗芯片能为您做什么？它凭借碳化硅的卓越材料特性，彻底消除了反向恢复损耗（0ns），让您在高达650V电压、4A电流的应用中，实现前所未有的高频高效开关。这意味着更低的系统发热、更小的散热需求和更高的功率密度。

同时，其极低的正向压降和反向漏电特性，能显著降低导通与待机损耗，直接提升您的产品整体能效。采用紧凑的PowerFlat HV表面贴装封装，让您轻松实现高可靠性的紧凑型设计。选择STPSC4H065DLF，就是选择让您的电源、电机驱动或光伏逆变器设计更高效、更可靠、更具竞争力。

• 型号:STPSC4H065DLF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIC 650V 4A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):4A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.55 V @ 4 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:245pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• STPSC4H065DLF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。