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您正在寻找一颗能同时兼顾高压、大电流与高效率的功率开关吗？STP16N65M2正是为您而生的答案。这颗采用先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，拥有650V的业界高耐压和11A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的导通损耗（Rds(on)仅360mΩ）与优化的开关特性，能显著提升您的电源或电机驱动系统的整体能效，让热量管理变得更轻松。

它不仅仅是一个开关，更是您实现系统小型化和高可靠性的关键。更低的栅极电荷和输入电容让驱动设计更简单，开关速度更快，从而允许您使用更高的工作频率，减少外围无源元件的体积和成本。其坚固的TO-220封装确保了出色的散热性能和机械可靠性，让您的产品即使在严苛的工业环境中也能持久稳定运行。选择STP16N65M2，就是选择让您的设计更高效、更紧凑、更具市场竞争力。

• 型号:STP16N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:718 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP16N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。