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还在为高压开关电路的效率瓶颈而困扰吗？让STF4N52K3为您开启高效节能的新篇章。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有525V的高耐压和2.5A的电流处理能力，能轻松胜任开关电源、电机驱动和LED照明中的核心开关任务。

它的核心价值在于让您的设计更卓越。极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更小的导通损耗，而优化的栅极电荷（Qg）则确保了快速的开关响应，从而显著提升整体系统效率，降低温升。采用坚固的TO-220FP封装，散热性能优异，安装可靠，让您能够轻松构建出更紧凑、更高效、更耐用的电力电子解决方案。

• 型号:STF4N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:334 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF4N52K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。