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还在为寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关而烦恼吗？STP80NF03L-04正是为您而来的解决方案。这颗30V/80A的N沟道MOSFET，凭借其惊人的4.5毫欧超低导通电阻，能显著减少您在电源路径上的能量损耗，直接提升系统整体效率，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它采用先进的STripFET II技术，不仅提供高达300W的强劲功率处理能力，更拥有优化的开关特性。低至4.5V的驱动电压让您轻松驾驭，而极低的栅极电荷则确保了高速开关下的高效表现。无论是用于构建高效的DC-DC转换器、驱动电机，还是作为核心的电源开关，它都能让您的设计更加简洁、性能更加卓越，助您轻松打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:STP80NF03L-04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP80NF03L-04，ST（意法半导体）产品一站式供应商。