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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关芯片吗？STU6N60DM2正是为您而来。这颗基于意法半导体先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和5A的电流处理能力，旨在让您的电源转换和电机驱动应用运行得更高效、更凉爽。

它极低的导通电阻（仅1.1欧姆）和优化的栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，直接提升系统整体能效。同时，其坚固的I-PAK封装和宽广的工作温度范围，让您轻松应对工业环境的严苛挑战，确保产品长期稳定运行。

• 制造商产品型号：STU6N60DM2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh DM2
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.1欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6.2nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：274pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：60W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STU6N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。