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您正在寻找一颗能轻松驾驭大电流、确保系统高效稳定运行的功率开关吗？STP120N10F4正是为此而生。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有高达120A的连续电流处理能力，让您的电机驱动、电源转换等应用从容应对高负荷挑战，释放澎湃动力。

它采用坚固的TO-220通孔封装，最大功率耗散可达300W，结合宽广的工作温度范围，确保了在严苛环境下的卓越可靠性与长久寿命。选择它，就是为您的核心功率电路选择了一位经验丰富、值得信赖的“强力执行者”，助您构建更高效、更稳健的电力电子解决方案。

• 型号:STP120N10F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP120N10F4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。