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还在为提升电源效率而绞尽脑汁吗？SCTL35N65G2V就是您一直在寻找的解决方案。这颗650V碳化硅MOSFET，以其仅67毫欧的超低导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源设计轻松突破效率天花板。

它能让您的高功率应用，如服务器电源、光伏逆变器或电动汽车充电桩，运行得更高效、更凉爽。高达175°C的结温能力和优异的散热封装，确保了系统在严苛环境下的长期稳定。选择它，就是选择了一条通往更高性能、更高可靠性的捷径。

• 型号:SCTL35N65G2V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:417W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• SCTL35N65G2V，ST（意法半导体）产品一站式供应商。