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还在为高压开关的效率与发热问题头疼吗？让STP7LN80K5为您带来焕然一新的体验！这颗采用MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有800V的强悍耐压和5A的持续电流能力，专为要求严苛的电源和电机控制应用而生。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更可靠。极低的导通电阻（1.15Ω @10V）意味着更少的导通损耗，直接提升系统能效，让设备运行更“冷静”。同时，优化的栅极电荷和电容特性，让开关动作干净利落，有助于简化驱动电路设计并减少开关损耗。

无论是工业电源、UPS还是照明系统，STP7LN80K5都能凭借其85W的强散热能力和宽温工作范围（-55°C~150°C），确保您的产品在各种环境下稳定持久地运行。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能心脏。

• 型号:STP7LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP7LN80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。