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您正在寻找一颗能轻松驾驭500V高压、持续输送11A强劲电流的功率开关吗？STF12NM50N正是为您而来！这颗基于意法半导体先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，旨在让您的电源转换和电机驱动设计事半功倍。

它凭借低至380毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，让系统运行更高效、更凉爽。同时，优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速、干净的开关性能，帮助您轻松应对电磁兼容性挑战，提升整体可靠性。采用坚固的TO-220FP封装，散热表现优异，安装简便，是您构建高性能、高性价比功率系统的理想核心元件。

• 型号:STF12NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF12NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。