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还在为高压开关应用寻找一颗既强韧又高效的“心脏”吗？STD2HNK60Z正是您期待的解决方案。这颗采用ST先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有600V的高耐压和2A的电流处理能力，能轻松应对开关电源、照明驱动等场景中的高压切换任务。

它的卓越之处在于，将导通电阻优化至仅4.8欧姆，并保持了极低的栅极电荷。这意味着它能显著降低导通损耗和开关损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。其坚固的DPAK封装和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了在各种环境下都能稳定可靠地工作，让您的设计无后顾之忧。

• 型号:STD2HNK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD2HNK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。