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还在寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗与高可靠性的功率开关吗？STB70NH03LT4正是为您而生的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和高达60A的连续电流承载能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻在10V驱动下仅9.5毫欧，能显著降低您在电源转换或电机驱动中的传导损耗，直接提升系统整体效率。

它让您轻松应对严苛的 thermal 挑战。高达858W的功率耗散能力，结合D2PAK封装优异的散热特性，确保芯片在高负荷下依然保持冷静。同时，其优化的栅极电荷（Qg仅21nC@5V）让开关速度更快、损耗更低，助您实现更高频率的设计，从而缩小外围元件体积，让您的产品更紧凑、更具竞争力。

• 型号:STB70NH03LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:858W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB70NH03LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。