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还在为高压应用中的功率损耗和散热问题头疼吗？让STP6NK90Z来为您解决！这颗来自意法半导力的高性能MOSFET，集900V高压耐受与5.8A大电流驱动能力于一身，专为 demanding 的开关应用而生。

它采用先进的SuperMESH技术，能显著降低导通电阻，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽，直接提升整体能效。同时，其优化的栅极电荷和坚固的雪崩性能，确保了快速、干净的开关动作，让您的设计更稳定、更可靠。选择它，就是为您的产品注入了高效与耐用的基因。

• 型号:STP6NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP6NK90Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。