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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和出色散热表现的功率开关吗？STW31N65M5正是为此而生。这颗基于先进MDmesh V技术的650V/22A MOSFET，凭借其极低的导通电阻和优化的动态特性，能显著降低您的系统开关损耗与导通损耗，直接提升整体能效，让热量管理变得前所未有的轻松。

它能让您的电源设计运行得更冷静、更安静。优异的栅极电荷和电容特性确保了快速干净的开关，有助于简化驱动电路并降低EMI。无论是用于工业电机驱动、服务器电源还是新能源转换系统，STW31N65M5都能提供稳定可靠的性能，助您打造出更具市场竞争力的高效产品。

• 型号:STW31N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:148 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW31N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。