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还在为高压应用的开关效率而烦恼吗？STD2N62K3正是为您而来的高效解决方案。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的高耐压和2.2A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻（3.6Ω）与栅极电荷（15nC），能显著降低开关损耗和传导损耗，直接提升您的电源或驱动电路的整机效率。

它能让您的设计运行得更凉爽、更稳定。高达45W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它出色的可靠性，轻松应对严苛的工作环境。无论是用于反激式转换器、功率因数校正(PFC)还是电机控制，STD2N62K3都能以DPAK封装的紧凑身形，为您实现高效、紧凑且可靠的功率管理，简化设计挑战，加速产品上市。

• 型号:STD2N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD2N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。