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还在寻找那颗能兼顾效率、可靠性与成本的功率开关吗？STP6N60M2正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II Plus技术的600V N沟道MOSFET，旨在让您的电源设计事半功倍。

它凭借低至1.2欧姆的导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关损耗与驱动损耗，直接提升您的电源转换效率。高达4.5A的电流处理能力和坚固的TO-220封装，确保它在苛刻环境下也能稳定工作，让您轻松应对PFC、开关电源、电机驱动等多种应用挑战。

选择STP6N60M2，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与持久可靠性，让您的产品在能效和稳定性上赢得先机。

• 型号:STP6N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:232 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP6N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。