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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？STD8N60DM2正是为您破解这一难题的利器。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和8A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅600毫欧@10V）与优化的动态特性。这意味着它能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它基于先进的MDmesh DM2技术打造，在降低栅极电荷的同时保持了出色的开关性能。这直接帮助您简化驱动设计，并有可能提升开关频率，从而让整个系统更紧凑。无论是用于反激式电源、PFC电路还是照明镇流器，STD8N60DM2都能让您轻松实现更高的功率密度和可靠性，是追求卓越能效工程师的理想选择。

• 型号:STD8N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:375 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD8N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。