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还在寻找一颗能在945MHz频段提供强劲且稳定功率放大的核心器件吗？PD57006STR-E正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的射频功率MOSFET，采用先进的LDMOS技术，能轻松为您提供高达6W的输出功率和15dB的卓越增益，让您的无线信号传得更远、更清晰。

它专为严苛的射频应用设计，在28V工作电压下表现出色，65V的高额定电压更确保了系统的坚固耐用。其PowerSO-10RF封装优化了散热和电气性能，让您的设计更高效，系统集成更轻松。无论是基站设备还是专业射频系统，PD57006STR-E都能成为您提升产品性能的可靠引擎。

• 型号:PD57006STR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:15dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:1A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:70 mA
• 功率 - 输出:6W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD57006STR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。