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您正在寻找一颗能扛起高功率应用大旗，同时保持敏捷与高效的核心开关器件吗？STGWA40H65FB正是您期待的答案。这颗650V/80A的沟槽场截止型IGBT，旨在让您的电机驱动、电源或逆变器设计脱颖而出。

它凭借仅2V的低导通压降，显著降低功耗，让系统运行更凉爽、能效更高。同时，优化的开关特性帮助您轻松应对高频开关挑战，提升功率密度。从-55°C到175°C的宽广工作结温范围，更赋予了产品无与伦比的环境适应性与可靠性，让您从容面对各种严苛应用场景。

• 型号:STGWA40H65FB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:283 W
• 开关能量:498J（导通），363J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:210 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns
• 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA40H65FB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。