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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？让STP5NK60ZFP为您带来改变！这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，是您实现高效、紧凑电源设计的得力助手。

它基于先进的SuperMESH技术打造，拥有600V的高压耐受能力和5A的电流处理能力，同时保持极低的导通电阻。这意味着它能显著降低开关和传导损耗，让您的电源、电机驱动或照明系统运行得更凉爽、更高效。其优化的动态参数（如低栅极电荷）让您能轻松设计出更高频率的电路，从而使用更小的外围元件，有效节省空间与成本。

无论是工业电源、家用电器还是LED驱动，STP5NK60ZFP都能凭借其坚固的TO-220FP封装和宽广的工作温度范围，确保您的产品在各种环境下稳定可靠地长期运行，大幅提升最终产品的市场竞争力。

• 型号:STP5NK60ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP5NK60ZFP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。