我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） SCTW35N65G2VAG现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为提升电源效率而绞尽脑汁吗？SCTW35N65G2VAG将彻底改变您的游戏规则。这颗由ST意法半导体推出的650V/45A碳化硅FET，凭借其革命性的SiCFET技术，能为您带来超低的导通与开关损耗。这意味着您能轻松设计出效率更高、发热更少、功率密度更大的电源系统，无论是面对快速充电还是高功率输出的挑战，都游刃有余。

它集高性能与高可靠性于一身。高达240W的功率处理能力和-55°C至200°C的宽工作温度范围，确保其在严苛环境下稳定运行。极低的栅极电荷（73nC）让驱动设计更简单，开关频率可以大幅提升，从而让您的磁性元件体积更小，整体方案更紧凑。选择它，就是选择了一种更高效、更可靠的电源解决路径。

• 型号:SCTW35N65G2VAG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 650V 45A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:240W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
• SCTW35N65G2VAG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。