我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP12NK80Z现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压开关应用的效率与散热问题头疼吗？让STP12NK80Z为您提供一站式的高效解决方案！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，集800V高压耐受与10.5A大电流承载能力于一身，专为 demanding 的功率转换场景而优化。

它采用先进的SuperMESH技术，显著降低了导通电阻和栅极电荷。这意味着在您进行开关电源、电机驱动或UPS设计时，它能大幅减少导通损耗和开关损耗，让系统运行更凉爽、能效比更高。其坚固的TO-220AB封装和190W的强大散热能力，更能让您轻松应对高功率密度设计的挑战，确保长期稳定运行。

• 型号:STP12NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 5.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP12NK80Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。