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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效与可靠的核心功率器件吗？STP4NK50Z正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有500V的耐压和3A的电流处理能力，基于ST先进的SuperMESH技术打造，能显著降低导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动设计效率更高，运行更稳定。

它具备低至2.7欧姆的导通电阻和仅12nC的栅极电荷，这意味着您可以用它实现更快的开关速度和更低的发热量。其坚固的TO-220AB封装和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了它在各种苛刻环境下的持久耐用。简而言之，STP4NK50Z能让您以更简单的设计，获得更强劲、更高效的性能表现，是提升产品市场竞争力的理想选择。

• 型号:STP4NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP4NK50Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。