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您正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持超低损耗的功率开关吗？STP40N60M2正是为您而来！这颗采用先进MDmesh II Plus技术的600V/34A MOSFET，拥有极低的导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它优异的开关特性（低栅极电荷Qg）让您能轻松实现高频操作，从而缩小磁性元件体积，优化整体设计。其坚固的TO-220封装和宽广的工作温度范围，确保在各种严苛应用中稳定可靠，是提升产品能效和功率密度的理想选择。

• 型号:STP40N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP40N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。