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还在为功率转换系统的效率瓶颈和可靠性担忧吗？让STB30N65M2AG为您带来改变。这颗符合汽车级AEC-Q101标准的650V/20A N沟道MOSFET，是意法半导体为您精心打造的功率开关解决方案。其卓越的电气参数，如低至180毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动复杂性，让您的设计轻松实现更高能效和更快的动态响应。

它采用坚固的D2PAK表面贴装封装，具备高达190W的功率处理能力和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保您的产品即使在最严苛的应用环境中也能稳定运行，持久可靠。选择它，就是为您的电源适配器、电机驱动、工业电源或汽车电力系统注入一颗高效、强健的“芯”。

• 型号:STB30N65M2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB30N65M2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。