我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP8NM50N现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计需要处理数百伏电压的电源或电机驱动吗？STP8NM50N就是为您而来的高效开关核心。它能让您轻松驾驭500V的高压，流畅通过5A的电流，将电能高效、可控地传递到负载端，是提升系统整体能效的得力助手。

得益于先进的MDmesh II技术，这颗芯片在导通时电阻极低，意味着更少的热量产生和更高的效率。同时，其优化的动态参数让开关过程干净利落，显著降低开关损耗，让您的电源工作得更凉爽、更安静。无论是用于构建紧凑型的开关电源，还是驱动电机及照明设备，STP8NM50N都能以出色的可靠性和性能，让您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:STP8NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:790 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:364 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP8NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。