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您正在寻找一颗能扛起大电流、高电压重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STP75N20正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有200V的漏源电压和75A的连续电流处理能力，其核心价值在于，它能以极低的34毫欧导通电阻，让您的大功率电路损耗显著降低，直接将电能更高效地输送给负载。

得益于STripFET技术和TO-220AB封装，它不仅能轻松管理高达190W的功率耗散，确保系统在宽温范围内稳定工作，其优化的栅极电荷特性更让驱动设计变得简单。选择它，就是为您的电源转换、电机控制或工业设备，选择了一个经久耐用、性能可靠的能量枢纽，让您的产品效率与可靠性同步飞跃。

• 型号:STP75N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 75A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 37A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP75N20，ST（意法半导体）产品一站式供应商。