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还在为提升电源转换效率而绞尽脑汁吗？SCTH100N65G2-7AG这颗基于先进碳化硅技术的N沟道MOSFET，就是为您破解难题的钥匙。它拥有650V的高耐压和95A的强大电流承载能力，配合极低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低开关和导通损耗，让您的系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片专为严苛环境打造，符合汽车级AEC-Q101标准，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保在高温高可靠性的应用中稳定输出。无论是设计电动汽车充电桩、服务器电源，还是工业电机驱动，选择它，都能让您轻松实现更高的功率密度和更卓越的能效表现，快速将创新想法转化为具有市场竞争力的产品。

• 型号:SCTH100N65G2-7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-7
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):95A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 50A，18V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 5mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:162 nC @ 18 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3315 pF @ 520 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-7
• 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
• SCTH100N65G2-7AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。